美浦森取得一种分离栅MOSFET的沟槽深度的监测装置及方法专利
发布日期：2025-01-24
金融界2024年12月31日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司取得一项名为“一种分离栅MOSFET的沟槽深度的监测装置及方法”的专利，授权公告号CN 118737874 B，申请日期为2024年8月。
天眼查资料显示，深圳市美浦森半导体有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2472.9613万人民币，实缴资本1627.704766万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美浦森半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，知识产权方面有商标信息11条，专利信息63条，此外企业还拥有行政许可19个。
